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環境氣體(ti) 檢測儀(yi) 器
GVZ-4模擬靜電場描繪儀(yi)
模擬靜電場描繪儀(yi)
品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 國產 |
---|---|---|---|
應用領域 | 綜合 |
模擬靜電場描繪儀(yi) 型號:GVZ-4
模擬靜電場描繪儀(yi)
主要技術參數:
1. 和電源分離式,單筆測試,內(nei) 置四種電**
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規格為(wei) 420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為(wei) 1mm.
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為(wei) 小於(yu) 2%。
5.電源輸出範圍(直流)為(wei) 7.00v—13.00V,分辨率為(wei) 0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓,調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬(wan) 次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導電微晶無磨損。
主要技術參數:
1. GVZ-4型為(wei) 箱體(ti) 和電源分離式,單筆測試,內(nei) 置四種電**
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規格為(wei) 420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為(wei) 1mm.
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為(wei) 小於(yu) 2%。
5.電源輸出範圍(直流)為(wei) 7.00v—13.00V,分辨率為(wei) 0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓,調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬(wan) 次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導電微晶無磨損。