hth全站

Product Center

當前位置:首頁hth全站環境氣體(ti) 檢測儀(yi) 器GVZ-4模擬靜電場描繪儀(yi)

模擬靜電場描繪儀(yi)

產品簡介

模擬靜電場描繪儀 型號:GVZ-4

主要技術參數:
1. 和電源分離式,單筆測試,內置四種電**
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。

產品型號:GVZ-4
更新時間:2024-02-07
廠商性質:生產廠家
訪問量:769
詳細介紹在線留言
品牌其他品牌產地類別國產
應用領域綜合

模擬靜電場描繪儀(yi) 型號:GVZ-4

模擬靜電場描繪儀(yi)  

主要技術參數:
1. 和電源分離式,單筆測試,內(nei) 置四種電**
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規格為(wei) 420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為(wei) 1mm. 
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為(wei) 小於(yu) 2%。
5.電源輸出範圍(直流)為(wei) 7.00v—13.00V,分辨率為(wei) 0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓,調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬(wan) 次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導電微晶無磨損。 

主要技術參數:
1. GVZ-4型為(wei) 箱體(ti) 和電源分離式,單筆測試,內(nei) 置四種電**
(同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形)。
2.規格為(wei) 420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。
3.同心圓和其他電**印有坐標格規格為(wei) 1mm. 
4.微晶導電層的均勻性,實驗值誤差為(wei) 小於(yu) 2%。
5.電源輸出範圍(直流)為(wei) 7.00v—13.00V,分辨率為(wei) 0.01V (配三位半數碼管)。
6.采用多圈電位器調節電壓,調節細度可達0.01V。
應承受250g正負50g的力摩擦2萬(wan) 次,膜層電阻阻值變化0.3%,對導電微晶無磨損。

在線留言

留言框

  • 產品:

  • 您的單位:

  • 您的姓名:

  • 聯係電話:

  • 常用郵箱:

  • 省份:

  • 詳細地址:

  • 補充說明:

  • 驗證碼:

    請輸入計算結果(填寫阿拉伯數字),如:三加四=7