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hth全站實驗室儀(yi) 器LT-100C數字式矽晶體(ti) 少子壽命測試儀(yi)
數字式矽晶體(ti) 少子壽命測試儀(yi)
產品簡介
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產品分類| 品牌 | 其他品牌 |
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數字式矽晶體(ti) 少子壽命測試儀(yi) 型號： LT-100C
數字式矽晶體(ti) 少子壽命測試儀(yi)
為(wei) 解決(jue) 太陽能單晶、多晶少子壽命測量，特按照國標GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導法研製出了數字式少子壽命測試儀(yi) 。
該設備是按照國家標準GB/T1553“矽單晶少數載流子壽命測定的高頻光電導衰減法"設計製造。高頻光電導衰減法在我國半導體(ti) 集成電路、晶體(ti) 管、整流器件、核探測器行業(ye) 已運用了三十多年，積累了豐(feng) 富的使用經驗，經過數次全國十多個(ge) 單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合於(yu) 矽塊、矽棒研磨麵的少子體(ti) 壽命測量；也可對矽片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表麵的要求為(wei) 研磨麵，製樣簡便。
有以下特點：
1、 可測量太陽能級多晶矽塊、單晶矽棒少數載流子體(ti) 壽命。表麵無需拋光，直接對切割麵或研磨麵進行測量。同時可測量多晶矽檢驗棒及集成電路、整流器、晶體(ti) 管級矽單晶的少子壽命。
2、 可測量太陽能級單晶及多晶矽片少數載流子的相對壽命，表麵無需拋光、鈍化。
3、配備**用軟件的數字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態光電導衰退波形，並可聯用打印機及計算機。
4、配置兩(liang) 種波長的紅外光源：
a、紅外光源，光穿透矽晶體(ti) 深度較深≥500μm，有利於(yu) 準確測量晶體(ti) 少數載流子體(ti) 壽命。
b、短波長紅外脈衝(chong) 激光器，光穿透矽晶體(ti) 深度較淺≈30μm，但光強較強，有利於(yu) 測量低阻太陽能級矽晶體(ti) 。
5、測量範圍寬廣
測試儀(yi) 可直接測量：
a、研磨或切割麵：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶矽棒、定向結晶多晶矽塊少子體(ti) 壽命，切割片的少子相對壽命。
b、拋光麵：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝範圍內(nei) 的矽單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測範圍 0.25μS—10ms
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